鋁合金蝕刻加工中影響氧化膜硬度和氧化膜生長(cháng)速度的因素
(1)電解液濃度的影響用H2SO;電解液進(jìn)行硬質(zhì)陽(yáng)極氧化時(shí)，其H2S認濃度范圍在10緯-30%之間.當濃度低時(shí)，獲得的膜層硬度高，特別是純鋁更加明
顯。但對于含Cu量較高的合金材料例外，因為含Cu量較高的合金中存在有CuA1:金屬化合物，在氧化過(guò)程中溶解速度較快，易成為電流聚集中心而被擊
穿.所以對含Cu量較高的合金材料，應采用較高濃度的H2 S04電解液進(jìn)行硬質(zhì)氧化。
(2)電解液溫度電解液溫度對氧化膜層的硬度和耐磨性有較大影響.一般來(lái)講，溫度越低，膜層耐磨性增大.主要是因為在低溫情況下，電解液對膜的溶解作用明顯減弱，為了獲得耐磨、硬度高的膜層，應采用低溫氧化，并控制溫度變化不可超過(guò)士2℃為宜.如采用純鋁來(lái)進(jìn)行硬質(zhì)陽(yáng)極氧化，溫度接近0℃時(shí)其硬度反而下降。所以為了獲得高硬度氧化膜層，對于有包鋁的工件，在4-8℃的條件下進(jìn)行硬質(zhì)陽(yáng)極氧化為宜.

(3)電流密度提高電流密度，氧化膜生長(cháng)速度加快，氧化時(shí)間縮短，膜層被H2SO‘溶解時(shí)間減少，膜層溶解量減少，膜層硬度和耐磨性提高.但當電流密度超過(guò)極限電流時(shí)，由于氧化時(shí)發(fā)熱量大增，使陽(yáng)極工件界面溫度過(guò)高，膜的溶解速度加快，膜的硬度反而降低。如電流密度過(guò)低，電壓升高過(guò)于緩慢，雖然發(fā)熱量減少，但要獲得較厚的氧化膜，氧化時(shí)間必然加長(cháng)，導致膜層受H2SO;溶解的時(shí)間延長(cháng)，所以氧化膜硬度降低.關(guān)于電流密度和氧化膜硬度、耐磨性、氧化膜生長(cháng)速度的關(guān)系比較復雜，要想得到理想的氧化膜層，要根據不同的合金材料來(lái)選擇合適的電流密度，通常取2 – 2. /dm2
(4)合金成分的影響鋁合金成分和雜質(zhì)對硬質(zhì)氧化膜的質(zhì)量有較大影響。主要表現在對膜層的均勻性和完整性的影響。對于A(yíng)l-Cu, Al-Si, Al-Mn合金，采用直流電硬質(zhì)陽(yáng)極氧化困難較大。當合金中Cu含量超過(guò)5緯、Si含量超過(guò)7.5%時(shí)，不適宜采用直流硬質(zhì)陽(yáng)極氧化。如采用交直流疊加或脈沖電流法進(jìn)行硬質(zhì)陽(yáng)極氧化，合金元素及雜質(zhì)含量范圍可以擴大。
(5)氧化膜層生長(cháng)速度提高電流密度和降低電解液溫度時(shí)，氧化膜層生長(cháng)速度提高.電解液濃度低時(shí)，對膜層的溶解量減少，可促使氧化膜層的生長(cháng)。欲獲得致密、耐蝕性強的氧化膜層，必須降低膜的生長(cháng)速度.